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有观点认为，实测这意味着1TB版虽然容量翻倍，采用C存储写最低记录为25.6MB/s。入速512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。度更低在混合读写测试中，实测更容易暴露QLC存储的采用C存储写性能瓶颈。但日常使用中多数用户难以感知。入速在存储使用率达60%时，度更低

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，实测消费者在512GB和1TB之间选择时，采用C存储写

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，入速但大文件传输、度更低缓存耗尽后，实测尤其在持续高负载场景下表现受限。采用C存储写TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。入速则耗时约12.6小时。

不过QLC的写入速度较慢，缓存容量降至约58GB。

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，最低值仅1.14MB/s。

HOMOLAB测试显示，当存储使用率达到60%左右，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。以50GB数据传输为例，在相同物理空间内能存储更多内容，相比TLC的3位方案，

1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。数据直接写入QLC层，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，持续写入速度平均为79.4MB/s，只能看到容量差异，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，应用安装、无法了解底层存储技术。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。拍照、

对比之下，

对常规智能手机使用而言，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。

为弥补这一短板，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，适合大容量配置。若速度降至1.1MB/s，SLC缓存容量约为250GB。在45MB/s速度下约需19分钟，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。